[转让] 薄膜太阳能电池及其缓冲层的制备方法

专利类别 : 发明	申请号 ： CN201511019482.6	申请日期 ： 2015-12-29
公开日期 ： 2016-04-20	专利名称 ： 薄膜太阳能电池及其缓冲层的制备方法	发明人 ： 刘艳云,顾光一,冯叶,冯丽丽,童君,马续航,宋秋明,杨春雷,肖旭东
法律状态 ： 授权	申请人 ： 深圳先进技术研究院	公开号 ： CN105514198A
主分类号 ： H01L31/0445(20140101)	优先权号 ：	行业分类 ：

本发明涉及一种薄膜太阳能电池，包括依次叠合的衬底、背电极层、光吸收层、缓冲层和透明导电层，缓冲层包括多层子缓冲层，子缓冲层为Zn<Sub>1-x</Sub>Mg<Sub>x</Sub>O，其中0≤x≤t，0.2≤t≤0.4，随光吸收层至透明导电层的方向上，多层子缓冲层的x值在0～t内逐渐减小。上述缓冲层的一侧为ZnO，另一侧为Zn<Sub>1-t</Sub>Mg<Sub>t</Sub>O。Zn<Sub>1-t</Sub>Mg<Sub>t</Sub>O的导带底略高于CIGS吸收层的导带，ZnO的能带与透明导电层的能带完美对接，因此减少了缓冲层与吸收层界面处的载流子复合，提高了开路电压。同时避免了缓冲层的导带底显著高于CIGS吸收层的导带形成较高的电子势垒，进而阻碍电子的运输导致短路电流密度降低的问题，可使薄膜太阳能电池的开路电压与短路电流密度共同提高。本发明还提供了薄膜太阳能电池缓冲层的制备方法。

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